Jön a Micron DDR6-ja, de nem az Ön számítógépéhez, hanem mesterséges intelligenciaszerverekhez készült
Előretekintő: A Micron felvázolta a memória és tárolás ütemtervét az elkövetkező néhány évre, és jelentős fejlesztéseket tárt fel a következő generációs termékeiben. A tervek a DDR6-ra, az LPDDR6-ra, a HBM-re és a NAND-ra terjednek ki, mivel az AI-infrastruktúra-költések fellendülése továbbra is megnöveli a hardverköltségeket.
A Micron az 1δ (1-Delta) csomópontját az 1γ (1-Gamma) követéseként részletezte. Az új csomópont, amely angstrom-szintű folyamatvezérléssel és HKMG CMOS struktúrával rendelkezik, a hírek szerint nagyjából 25%-kal nagyobb bitsűrűséget biztosít majd, mint elődje fejlett DRAM termékek gyártásakor.
A Micron hozzátette, hogy az 1-Delta támogatni fogja az olyan következő generációs memóriaszabványokat, mint a DDR6 és az LPDDR6, az előbbi pedig több mint kétszerese a DDR5 sávszélességének. A vállalat azonban a DDR6-ot nagy megbízhatóságú szervermemóriaként pozicionálja az AI-adatközpontok számára, nem pedig a DDR5 közvetlen utódjaként az ügyfélszámítógépeken.
A Micron arra számít, hogy az 1-Delta 2027 második felében kezdi meg a mennyiségi gyártást, de a DDR6 hivatalos megjelenési dátuma még nincs.
A Micron korábban, 2026 szeptemberében bemutatott egy 512 GB-os DDR5 RDIMM-et, amely 9200 MT/s sebességgel fut. A vállalat most azt állítja, hogy a következő generációs technológiája 1 TB-os RDIMM-eket fog szállítani a nagy sűrűségű mesterséges intelligencia munkaterheléséhez, és állítása szerint ez lesz az iparág legnagyobb kapacitású RDIMM-e, amikor megkezdődik a gyártás.
Ami az LPDDR6-ot illeti, a Micron azt állítja, hogy 35%-kal jobb energiahatékonyságot fog nyújtani, mint az LPDDR5, bizonyos sűrűségeknél még nagyobb nyereséggel. Scott DeBoer, a vállalat elnöke és technológiai és termékekért felelős igazgatója elmondta, hogy a Micron számos partnerrel, köztük a Metával dolgozik azon, hogy LPDDR6 memóriát telepítsen az AI-adatközpontokban.
A Micron azt is elárulta, hogy jövőbeli memóriatermékei 6F² (6 funkciós négyzet) DRAM-ot fognak használni a 4F² helyett, hivatkozva a költségekre, a bonyolultságra és a kondenzátorok közötti korlátokra, amelyek jelentősen csökkentik az utóbbi méretezhetőségét.
A vállalat hozzátette, hogy a következő generációs DRAM-termékei szeletragasztást és High-NA EUV-t fognak használni, mielőtt esetleg áttérnének az újabb anyagokra.
A 6F² mellett a Micron állítólag 3D DRAM-ot fejleszt hosszabb távú alternatívaként, miközben bevezeti a „vHBM”-et, egy függőlegesen egymásra épülő kialakítást, amely közvetlenül a számítási eszköz tetejére helyezi a memóriát. A Micron azt állítja, hogy az új kialakítás javítani fogja a hatékonyságot a következő generációs HBM chipek wattonkénti sávszélességének növelésével.
A tárolás terén a Micron felvázolta a több mint 400 rétegű G11 NAND flash gyártási terveit. A G9-hez képest az új termék kétszeres bitsűrűséget, másfélszeres I/O sebességet és több mint 25%-kal alacsonyabb adatátviteli energiát céloz meg. Állítólag 2027 második felében is gyártásba kerül, bár a Micron még nem jelentette be a hivatalos megjelenési dátumot.